|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
С. Б. Ластовский, В. П. Маркевич, А. С. Якушевич, Л. И. Мурин, В. П. Крылов, “Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых $n^{+}$–$p$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 767–771   ; S. B. Lastovsky, V. P. Markevich, A. S. Yakushevich, L. I. Murin, V. P. Krylov, “Radiation-induced bistable centers with deep levels in silicon $n^{+}$–$p$ structures”, Semiconductors, 50:6 (2016), 751–755 |
11
|
|
Обратная связь: