Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых $n^{+}$–$p$-структурах

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния $p$-типа, облученных быстрыми электронами и $\alpha$-частицами. Обнаружен и исследован новый радиационно-индуцированный дефект, обладающий свойствами бистабильных центров. После длительного хранения облученных образцов при комнатной температуре либо их кратковременного отжига при $T\sim$ 370 K дефект не проявляет электрической активности в кремнии $p$-типа. Однако в результате последующей инжекции неосновных носителей заряда данный центр переходит в метастабильную конфигурацию с глубокими уровнями у $E_{V}$ + 0.45 эВ и $E_{V}$ + 0.54 эВ. Обратный переход в основную конфигурацию имеет место в диапазоне температур 50–100$^\circ$C и характеризуется энергией активации $\sim$ 1.25 эВ и частотным фактором $\sim$5 $\cdot$ 10$^{15}$ с$^{-1}$. Обнаруженный дефект термически стабилен до $T\sim$ 450 K. Предполагается, что данный дефект может быть либо комплексом собственный межузельный атом кремния-межузельный атом углерода, либо комплексом собственный межузельный атом кремния-межузельный атом бора.