Персоналии: Zhang Q J

Персоналии

RUS ENG

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

Zhang Q J

	Публикации в базе данных Math-Net.Ru	Цитирования
	2016
1.	М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Q. J. Zhang, J. W. Palmour, “Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 668–673 ; M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, Q. J. Zhang, J. W. Palmour, “Isothermal current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction barrier Schottky rectifiers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 656–661	1

Организации

Обратная связь: