|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. Г. Тихомиров, В. Е. Земляков, В. В. Волков, Я. М. Парнес, В. Н. Вьюгинов, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Н. А. Черкашин, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 245–249   ; V. G. Tikhomirov, V. E. Zemlyakov, V. V. Volkov, Ya. M. Parnes, V. N. V’yuginov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Cherkashin, M. N. Mizerov, V. M. Ustinov, “Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation”, Semiconductors, 50:2 (2016), 244–248 |
23
|
|
Обратная связь: