|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, T. Sledziewski, С. А. Решанов, A. Schöner, M. Krieger, “Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 103–105   ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, T. Sledziewski, S. A. Reshanov, A. Schöner, M. Krieger, “Specific features of the current–voltage characteristics of SiO$_{2}$/4$H$-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide”, Semiconductors, 50:1 (2016), 103–105 |
4
|
|
Обратная связь: