|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Л. Д. Иванова, Ю. В. Гранаткина, Л. И. Петрова, И. Ю. Нихезина, А. Г. Мальчев, В. В. Аленков, С. А. Кичик, А. А. Мельников, “Термоэлектрические свойства твердого раствора Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$ различного гранулометрического состава”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1044–1047   ; L. D. Ivanova, Yu. V. Granatkina, L. I. Petrova, I. Yu. Nikhezina, A. G. Malchev, V. V. Alenkov, S. A. Kichik, A. A. Melnikov, “Thermoelectric properties of Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$ solid solutions of different particle-size composition”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1002–1004 |
3
|
|
2016 |
| 2. |
Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, М. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, О. А. Бузанов, В. В. Аленков, П. И. Фоломин, А. Б. Гриценко, “Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1532–1536 ; D. N. Lobanov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, M. N. Drozdov, O. I. Khrykin, O. A. Buzanov, V. V. Alenkov, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, “Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1511–1514 |
2
|
|
Обратная связь: