|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, В. В. Мурашов, “Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 342–347   ; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, V. V. Murashov, “Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents”, Semiconductors, 51:3 (2017), 329–334 |
2
|
|
Обратная связь: