|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Д. В. Рыбальченко, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 94–100   ; D. V. Rybalchenko, S. A. Mintairov, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD”, Semiconductors, 51:1 (2017), 93–99 |
15
|
|
2016 |
| 2. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Д. В. Рыбальченко, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 525–530 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, D. V. Rybalchenko, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates”, Semiconductors, 50:4 (2016), 517–522 |
10
|
|
Обратная связь: