|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
1. |
В. А. Смирнов, А. Д. Мокрушин, В. П. Васильев, Н. Н. Денисов, К. Н. Денисова, “Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 18–25 ; V. A. Smirnov, A. D. Mokrushin, V. P. Vasil’ev, N. N. Denisov, K. N. Denisova, “Field effect in a graphene oxide transistor for proton and electron–hole conductivities”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 671–673 |
3
|
|