Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 13, страницы 18–25 (Mi pjtf6368)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена

В. А. Смирновa, А. Д. Мокрушинb, В. П. Васильевa, Н. Н. Денисовa, К. Н. Денисоваc

a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
PDF полного текста (128 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: В пленках оксида графена можно наблюдать протонную (влажная атмосфера) и электронную (восстановленный оксид графена) проводимости. В транзисторе на основе оксида графена обнаружен и исследован полевой эффект при различных видах проводимости.
Поступила в редакцию: 08.02.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 7, Pages 671–673
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016070129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Смирнов, А. Д. Мокрушин, В. П. Васильев, Н. Н. Денисов, К. Н. Денисова, “Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 18–25; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 671–673
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmiMokVas16}
\by В.~А.~Смирнов, А.~Д.~Мокрушин, В.~П.~Васильев, Н.~Н.~Денисов, К.~Н.~Денисова
\paper Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 13
\pages 18--25
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6368}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368246}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 7
\pages 671--673
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016070129}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6368
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i13/p18
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024