|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, А. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, И. А. Глинский, Д. В. Лаврухин, О. А. Рубан, П. П. Мальцев, “Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1267–1272   ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, A. Yu. Pavlov, D. N. Slapovskiy, I. A. Glinskiy, D. V. Lavrukhin, O. A. Ruban, P. P. Maltsev, “Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) with a metamorphic buffer layer for the generation of terahertz radiation”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1218–1223 |
14
|
| 2. |
Д. Н. Слаповский, А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, А. В. Клековкин, “Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 461–466 ; D. N. Slapovskiy, A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, A. V. Klekovkin, “Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN nitride heterostructures”, Semiconductors, 51:4 (2017), 438–443 |
2
|
| 3. |
А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, “Термическая стабильность несплавных омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 96–103 ; A. Yu. Pavlov, V. Yu. Pavlov, D. N. Slapovskiy, “The thermal stability of nonalloyed ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1043–1046 |
4
|
|
Обратная связь: