|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, А. А. Гузев, “Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017), 83–89   ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, A. A. Guzev, “Features of current flow in structures based on Au/Ti/$n$-InAlAs Schottky barriers”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 581–583 |
|
2016 |
| 2. |
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев, “Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1652–1656 ; V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretskii, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev, “CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1626–1629 |
4
|
|
Обратная связь: