|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Н. П. Клочко, В. Р. Копач, Г. С. Хрипунов, В. Е. Корсун, В. Н. Любов, Д. О. Жадан, А. Н. Отченашко, М. В. Кириченко, М. Г. Хрипунов, “Гетероструктура для обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1081–1093   ; N. P. Klochko, V. R. Kopach, G. S. Khrypunov, V. E. Korsun, V. M. Lyubov, D. O. Zhadan, A. N. Otchenashko, M. V. Kirichenko, M. G. Khrypunov, “Backward-diode heterostructure based on a zinc-oxide nanoarray formed by pulsed electrodeposition and a cooper-iodide film grown by the SILAR method”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1203–1214 |
2
|
|
2017 |
| 2. |
Н. П. Клочко, В. Р. Копач, Г. С. Хрипунов, В. Е. Корсун, Н. Д. Волкова, В. Н. Любов, М. В. Кириченко, А. В. Копач, Д. О. Жадан, А. Н. Отченашко, “Барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 821–829 ; N. P. Klochko, V. R. Kopach, G. S. Khrypunov, V. E. Korsun, N. D. Volkova, V. M. Lyubov, M. V. Kirichenko, A. V. Kopach, D. O. Zhadan, A. N. Otchenashko, “$n$-ZnO/$p$-CuI barrier heterostructure based on zinc-oxide nanoarrays formed by pulsed electrodeposition and SILAR copper-iodide films”, Semiconductors, 51:6 (2017), 789–797 |
8
|
| 3. |
В. Р. Копач, Е. С. Клепикова, Н. П. Клочко, Г. С. Хрипунов, В. Е. Корсун, В. Н. Любов, М. В. Кириченко, А. В. Копач, “Структура и свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 348–357 ; V. R. Kopach, E. S. Klepikova, N. P. Klochko, G. S. Khrypunov, V. E. Korsun, V. M. Lyubov, M. V. Kirichenko, A. V. Kopach, “Structure and properties of nanostructured ZnO arrays and ZnO/Ag nanocomposites fabricated by pulsed electrodeposition”, Semiconductors, 51:3 (2017), 335–343 |
9
|
|
Обратная связь: