|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
Н. П. Клочкоa, В. Р. Копачa, Г. С. Хрипуновa, В. Е. Корсунa, Н. Д. Волковаb, В. Н. Любовa, М. В. Кириченкоa, А. В. Копачa, Д. О. Жаданa, А. Н. Отченашкоa a Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"
b Национальный аэрокосмический университет "Харьковский авиационный институт"
Аннотация:
В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура $p$-CuI/$n$-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365–370 нм барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление $R_{sh}\cdot S_{c}$ = 879 Ом $\cdot$ см$^{2}$, последовательное сопротивление $R_{s}\cdot S_{c}$ = 8.5 Ом $\cdot$ см$^{2}$, коэффициент выпрямления диода $K$ = 17.6, высота выпрямляющего барьера $p$–$n$-перехода $\Phi$ = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода $\eta$ = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 $<U<$ 0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения J$_{0}$ составили 6.4 $\cdot$ 10$^{-6}$ мА $\cdot$ см$^{-2}$ для механизма рекомбинации и туннельного переноса и 2.7 $\cdot$ 10$^{-3}$ мА $\cdot$ см$^{-2}$ для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.
Поступила в редакцию: 16.11.2016 Принята в печать: 23.11.2016
Образец цитирования:
Н. П. Клочко, В. Р. Копач, Г. С. Хрипунов, В. Е. Корсун, Н. Д. Волкова, В. Н. Любов, М. В. Кириченко, А. В. Копач, Д. О. Жадан, А. Н. Отченашко, “Барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 821–829; Semiconductors, 51:6 (2017), 789–797
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6141 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p821
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 21 | PDF полного текста: | 14 |
|