|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
О. Г. Грушка, С. М. Чупыра, С. В. Биличук, О. А. Парфенюк, “Электронные процессы в кристаллах CdIn$_{2}$Te$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 840–843   ; O. G. Grushka, S. M. Chupyra, S. V. Bilichuk, O. A. Parfenyuk, “Electronic processes in CdIn$_{2}$Te$_{4}$ crystals”, Semiconductors, 52:8 (2018), 973–976 |
1
|
|
2017 |
| 2. |
М. Н. Солован, А. И. Мостовой, С. В. Биличук, F. Pinna, Т. Т. Ковалюк, В. В. Брус, Э. В. Майструк, И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, “Структурные и оптические свойства пленок Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$, полученных методом магнетронного распыления мишени из сплава Cu$_{2}$ZnSn”, Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1619–1623 ; M. N. Solovan, A. I. Mostovyi, S. V. Bilichuk, F. Pinna, T. T. Kovaliuk, V. V. Brus, E. V. Maistruk, I. G. Orletskii, P. D. Mar'yanchuk, “Structural and optical properties of Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$ films obtained by magnetron sputtering of a Cu$_{2}$ZnSn alloy target”, Phys. Solid State, 59:8 (2017), 1643–1647 |
4
|
| 3. |
С. М. Чупыра, О. Г. Грушка, С. В. Биличук, “Примесные уровни в кристаллах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1085–1087 ; S. M. Chupyra, O. G. Grushka, S. V. Bilichuk, “Impurity levels in Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$ crystals”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1041–1043 |
|
Обратная связь: