Электронные процессы в кристаллах CdIn$_{2}$Te$_{4}$

Приведены результаты исследования электрических, оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов CdIn$_{2}$Te$_{4}$, выращенных методом Бриджмена. Показано, что электропроводность определяется преимущественно электронами с эффективной массой $m_n$ = 0.44 $m_{0}$ и подвижностью 120–140 см$^{2}$/(В $\cdot$ с), слабо зависящей от температуры. CdIn$_{2}$Te$_{4}$ ведет себя как частично компенсированный полупроводник с энергией ионизации донорных центров $E_{d}$ = 0.38 эВ и степенью компенсации $K=N_{a}/N_{d}$ = 0.36. Спектры коэффициента поглощения при энергиях $h\nu<E_{g}$ = 1.27 эВ подчиняются правилу Урбаха с характерной энергией 18–25 мэВ. Фотопроводимость зависит от толщины образца. По спектрам фотопроводимости определены диффузионная длина, время жизни носителей заряда и скорость поверхностной рекомбинации.