|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. С. Евстигнеев, В. С. Варавин, А. В. Чилясов, В. Г. Ремесник, А. Н. Моисеев, Б. С. Степанов, “Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 554–559   ; V. S. Evstigneev, V. S. Varavin, A. V. Chilyasov, V. G. Remesnik, A. N. Moiseev, B. S. Stepanov, “Electrophysical properties of $p$-type undoped and arsenic-doped Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te epitaxial layers with $x\approx$ 0.4 grown by the MOCVD method”, Semiconductors, 52:6 (2018), 702–707 |
4
|
|
Обратная связь: