|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD
В. С. Евстигнеевab, В. С. Варавинc, А. В. Чилясовa, В. Г. Ремесникc, А. Н. Моисеевab, Б. С. Степановda a Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
d Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН
Аннотация:
Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда и времени жизни неосновных носителей заряда в нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости c $x\approx$ 0.4, полученных методом MOCVD-IMP. Показано, что температурные зависимости концентрации носителей заряда могут быть описаны моделью, предполагающей наличие одного акцепторного и одного донорного уровней. Значения энергий ионизации акцепторов в нелегированном и легированном мышьяком материалax составили 14 и 3.6 мэВ соответственно. Установлено, что доминирующим механизмом рекомбинации в нелегированных слоях является рекомбинация Шокли–Рида–Холла, а после низкотемпературного равновесного отжига в парах ртути (230$^\circ$C, 24 ч) – излучательная рекомбинация. Фундаментальное ограничение времени жизни в легированном мышьяком материалe обусловлено оже-процессом 7. Активационный отжиг (360$^\circ$C, 2 ч) легированных слоев позволяет достичь 100%-й активации мышьяка.
Поступила в редакцию: 26.07.2017 Принята в печать: 05.09.2017
Образец цитирования:
В. С. Евстигнеев, В. С. Варавин, А. В. Чилясов, В. Г. Ремесник, А. Н. Моисеев, Б. С. Степанов, “Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 554–559; Semiconductors, 52:6 (2018), 702–707
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5800 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p554
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 15 |
|