|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. И. Алтухов, А. В. Санкин, А. С. Сигов, Д. К. Сысоев, Э. Г. Янукян, С. В. Филиппова, “Нелинейная по концентрации поверхностных состояний модель барьера Шоттки и расчет вольт-амперных характеристик диодов на основе SiC и его твердых растворов в составной модели токопереноса”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 366–369   ; V. I. Altukhov, A. V. Sankin, A. S. Sigov, D. K. Sysoev, È. G. Yanukyan, S. V. Filippova, “Schottky-barrier model nonlinear in surface-state concentration and calculation of the I–V characteristics of diodes based on SiC and its solid solutions in the composite charge-transport model”, Semiconductors, 52:3 (2018), 348–351 |
3
|
|
Обратная связь: