|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. М. Мусаев, “Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 35–37   ; A. M. Musaev, “Effect of hydrostatic pressure on the static permittivity of germanium”, Semiconductors, 52:1 (2018), 31–33 |
|
2017 |
| 2. |
А. М. Мусаев, “Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1341–1345 ; A. M. Musaev, “Effects of local photoexcitation of high-concentration charge carriers in silicon”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1290–1294 |
3
|
|
2016 |
| 3. |
А. М. Мусаев, “Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое $p$–$n$-структур кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1370–1373 ; A. M. Musaev, “Mechanism of microplasma turn-off upon the avalanche breakdown of silicon $p$–$n$ structures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1352–1355 |
| 4. |
А. М. Мусаев, “Ударная ионизация в неоднородно разогретых кремниевых $p^{+}$–$n$–$n^{+}$- и $n^{+}$–$p$–$p^{+}$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 470–473 ; A. M. Musaev, “Impact ionization in nonuniformly heated silicon $p^{+}$–$n$–$n^{+}$- and $n^{+}$–$p$–$p^{+}$ structures”, Semiconductors, 50:4 (2016), 462–465 |
|
Обратная связь: