Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1341–1345
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45010.8520 (Mi phts6015) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии

А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
PDF полного текста (174 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45010.8520
Аннотация: Экспериментально исследованы явления при локальном импульсном фотовозбуждении собственных, неравновесных носителей заряда высокой концентрации в кремнии. Обнаружен эффект существенного роста времени жизни фотовозбужденных носителей заряда. Показано, что эффект существенного роста времени жизни носителей обусловлен изменением степени вырождения и смещением примесного рекомбинационного уровня к уровню Ферми, вызванных локальной термоупругой деформацией кристалла и соответствующим распределением концентрации неравновесных носителей заряда.
Поступила в редакцию: 17.01.2017
Принята в печать: 06.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 10, Pages 1290–1294
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617100153
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Мусаев, “Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1341–1345; Semiconductors, 51:10 (2017), 1290–1294
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Mus17}
\by А.~М.~Мусаев
\paper Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1341--1345
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6015}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45010.8520}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30291320}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1290--1294
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617100153}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6015
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1341
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024