|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. Н. Япрынцев, О. Н. Иванов, А. Е. Васильев, М. В. Жежу, Д. А. Попков, “Синтез, структура и анизотропия термоэлектрических свойств соединения Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$, легированного самарием”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1156–1161   |
1
|
|
2019 |
| 2. |
А. Е. Васильев, М. Н. Япрынцев, О. Н. Иванов, М. В. Жежу, “Термоэлектрические свойства твердых растворов Bi$_{2-x}$Lu$_{x}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 680–684 ; A. E. Vasil'ev, M. N. Yapryntsev, O. N. Ivanov, M. V. Zhezhu, “Thermoelectric properties of Bi$_{2-x}$Lu$_{x}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$ solid solutions”, Semiconductors, 53:5 (2019), 673–677 |
| 3. |
М. Н. Япрынцев, А. Е. Васильев, О. Н. Иванов, “Влияние температуры спекания на термоэлектрические свойства соединения Bi$_{1.9}$Gd$_{0.1}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 620–625 ; M. N. Yapryntsev, A. E. Vasil'ev, O. N. Ivanov, “Influence of the sintering temperature on the thermoelectric properties of the Bi$_{1.9}$Gd$_{0.1}$Te$_{3}$ compound”, Semiconductors, 53:5 (2019), 615–619 |
|
2017 |
| 4. |
М. Н. Япрынцев, Р. А. Любушкин, О. Н. Соклакова, О. Н. Иванов, “Особенности транспортных свойств соединения Lu$_{0.1}$Bi$_{1.9}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1031–1033 ; M. N. Yapryntsev, R. A. Lyubushkin, O. N. Soklakova, O. N. Ivanov, “Specific features of the transport properties of the Lu$_{0.1}$Bi$_{1.9}$Te$_{3}$ compound”, Semiconductors, 51:8 (2017), 989–991 |
| 5. |
М. Н. Япрынцев, Р. А. Любушкин, О. Н. Соклакова, О. Н. Иванов, “Синтез и электрофизические свойства термоэлектрического материала на основе Bi$_{2}$Te$_{3}$, легированного лантаноидами Er, Tm, Yb и Lu”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 744–747 ; M. N. Yapryntsev, R. A. Lyubushkin, O. N. Soklakova, O. N. Ivanov, “Synthesis and electrical properties of Bi$_{2}$Te$_{3}$-based thermoelectric materials doped with Er, Tm, Yb, and Lu”, Semiconductors, 51:6 (2017), 710–713 |
3
|
|
Обратная связь: