Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 744–747
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44548.07
(Mi phts6126)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Синтез и электрофизические свойства термоэлектрического материала на основе Bi$_{2}$Te$_{3}$, легированного лантаноидами Er, Tm, Yb и Lu

М. Н. Япрынцев, Р. А. Любушкин, О. Н. Соклакова, О. Н. Иванов

Белгородский государственный национальный исследовательский университет
Аннотация: Нанопорошки Bi$_{2}$Te$_{3}$ и R$_{0.1}$Bi$_{1.9}$Te$_{3}$ (где R = Er, Tm, Yb, Lu) были получены методом сольвотермально-микроволного синтеза. Порошкообразные материалы компактировали методом холодного изостатического прессования с последующим отжигом в инертной среде аргона. Изучено влияние легирующей добавки редкоземельных элементов на структуру и свойства получаемых материалов. Показано, что введение в решетку теллурида висмута атома редкоземельного элемента (2 ат%) приводит к снижению удельного электрического сопротивления и к росту значений коэффициента Зеебека. Установлено, что в исследованном ряду редкоземельных элементов наилучшие свойства проявляет образец теллурида висмута, легированный тулием.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 710–713
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261706029X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Н. Япрынцев, Р. А. Любушкин, О. Н. Соклакова, О. Н. Иванов, “Синтез и электрофизические свойства термоэлектрического материала на основе Bi$_{2}$Te$_{3}$, легированного лантаноидами Er, Tm, Yb и Lu”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 744–747; Semiconductors, 51:6 (2017), 710–713
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YapLyuSok17}
\by М.~Н.~Япрынцев, Р.~А.~Любушкин, О.~Н.~Соклакова, О.~Н.~Иванов
\paper Синтез и электрофизические свойства термоэлектрического материала на основе Bi$_{2}$Te$_{3}$, легированного лантаноидами Er, Tm, Yb и Lu
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 744--747
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6126}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44548.07}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404936}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 710--713
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261706029X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6126
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p744
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024