|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. В. Марков, М. Ф. Панов, В. П. Растегаев, Е. Н. Севостьянов, В. В. Трушлякова, “Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1869–1874   ; A. V. Markov, M. F. Panov, V. P. Rastegaev, E. N. Sevostyanov, V. V. Trushlyakova, “Nondestructive control of the surface, layers, and charge carrier concentration on SiC substrates and structures”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1774–1779 |
1
|
|
Обратная связь: