|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Л. Н. Вострецова, М. Ю. Махмуд-Ахунов, А. А. Чулакова, “Деградация структур на основе InGaN/GaN под действием $\gamma$-облучения”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2022, № 3, 72–84  |
|
2021 |
| 2. |
М. Ю. Махмуд-Ахунов, И. О. Карачев, Б. Б. Костишко, “Формирование наноструктурированного анодного оксида на поверхности кремния”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2021, № 2, 105–112 |
|
2018 |
| 3. |
А. М. Орлов, М. Ю. Махмуд-Ахунов, К. В. Кузнецова, “Управляемое электрическим полем передвижение жидких капель по поверхности диэлектрических пленок”, ЖТФ, 88:11 (2018), 1628–1634  ; A. M. Orlov, M. Yu. Makhmud-Akhunov, K. V. Kuznetsova, “Electric-field-controlled motion of liquid droplets on the surface of dielectric films”, Tech. Phys., 63:11 (2018), 1576–1581 |
|
2016 |
| 4. |
А. М. Орлов, И. О. Явтушенко, М. Ю. Махмуд-Ахунов, “Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях $\{111\}$ при анодной обработке $n$-GaAs”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 791–797 ; A. M. Orlov, I. O. Yavtushenko, M. Yu. Makhmud-Akhunov, “Kinetic features of the oxide formation on $\{111\}$ polar planes upon anode treatment of $n$-GaAs”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 817–823 |
1
|
|
2013 |
| 5. |
М. Ю. Махмуд-Ахунов, М. Ю. Тихончев, В. В. Светухин, “Моделирование фазовых превращений диоксида урана методом молекулярной динамики”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2013, № 3, 199–211 |
|
Обратная связь: