Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 4, страницы 791–797 (Mi ftt10027)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика поверхности, тонкие пленки

Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях $\{111\}$ при анодной обработке $n$-GaAs

А. М. Орлов, И. О. Явтушенко, М. Ю. Махмуд-Ахунов

Ульяновский государственный университет
Аннотация: Изучены механизм, кинетика анодного разрушения полярных плоскостей $\{111\}$ $n$-GaAs и морфологические особенности формируемых окисных пленок при потенциостатическом режиме поляризации в слабокислых растворах электролитов. Установлено, что анодная поляризация галлиевой плоскости (111) Ga обеспечивает формирование пористой структуры как самой монокристаллической матрицы, так и окисной пленки, имеющей планарную топологию. При этом плотность пор всегда оказывается соизмеримой с поверхностной концентрацией легирующей примеси. Анодная поляризация мышьяковистой плоскости $(\overline{111})$ As в отличие от галлиевой обеспечивает тангенциальный механизм разрушения полупроводниковой матрицы и островковую морфологию окисла. Одинаковая кристаллографическая ориентация островков определяется направляющим действием семейства окисляемых плоскостей $\{\overline{111}\}$ GaAs. Но независимо от кристаллографической ориентации полярной плоскости формируемый окисел представлен поликристаллическим As$_{2}$O$_{3}$ и аморфным Ga$_{2}$O$_{3}$.
Поступила в редакцию: 26.05.2015
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 4, Pages 817–823
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378341604017X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Орлов, И. О. Явтушенко, М. Ю. Махмуд-Ахунов, “Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях $\{111\}$ при анодной обработке $n$-GaAs”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 791–797; Phys. Solid State, 58:4 (2016), 817–823
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrlYavMak16}
\by А.~М.~Орлов, И.~О.~Явтушенко, М.~Ю.~Махмуд-Ахунов
\paper Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях $\{111\}$ при анодной обработке $n$-GaAs
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 4
\pages 791--797
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10027}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669039}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 4
\pages 817--823
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378341604017X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10027
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i4/p791
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024