|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 4, страницы 791–797
(Mi ftt10027)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика поверхности, тонкие пленки
Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях $\{111\}$ при анодной обработке $n$-GaAs
А. М. Орлов, И. О. Явтушенко, М. Ю. Махмуд-Ахунов Ульяновский государственный университет
Аннотация:
Изучены механизм, кинетика анодного разрушения полярных плоскостей $\{111\}$ $n$-GaAs и морфологические особенности формируемых окисных пленок при потенциостатическом режиме поляризации в слабокислых растворах электролитов. Установлено, что анодная поляризация галлиевой плоскости (111) Ga обеспечивает формирование пористой структуры как самой монокристаллической матрицы, так и окисной пленки, имеющей планарную топологию. При этом плотность пор всегда оказывается соизмеримой с поверхностной концентрацией легирующей примеси. Анодная поляризация мышьяковистой плоскости $(\overline{111})$ As в отличие от галлиевой обеспечивает тангенциальный механизм разрушения полупроводниковой матрицы и островковую морфологию окисла. Одинаковая кристаллографическая ориентация островков определяется направляющим действием семейства окисляемых плоскостей $\{\overline{111}\}$ GaAs. Но независимо от кристаллографической ориентации полярной плоскости формируемый окисел представлен поликристаллическим As$_{2}$O$_{3}$ и аморфным Ga$_{2}$O$_{3}$.
Поступила в редакцию: 26.05.2015
Образец цитирования:
А. М. Орлов, И. О. Явтушенко, М. Ю. Махмуд-Ахунов, “Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях $\{111\}$ при анодной обработке $n$-GaAs”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 791–797; Phys. Solid State, 58:4 (2016), 817–823
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt10027 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i4/p791
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 13 |
|