|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. Г. Банщиков, Ю. Ю. Илларионов, М. И. Векслер, S. Wachter, Н. С. Соколов, “Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 844–849   ; A. G. Banshchikov, Yu. Yu. Illarionov, M. I. Vexler, S. Wachter, N. S. Sokolov, “Trends in reverse-current change in tunnel MIS diodes with calcium fluoride on Si(111) upon the formation of an extra oxide layer”, Semiconductors, 53:6 (2019), 833–837 |
|
2018 |
| 2. |
Ю. Ю. Илларионов, А. Г. Банщиков, Н. С. Соколов, S. Wachter, М. И. Векслер, “Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 150–157 ; Yu. Yu. Illarionov, A. G. Banshchikov, N. S. Sokolov, S. Wachter, M. I. Vexler, “Nonmonotonic change in the tunnel conductivity of an MIS structure with a two-layer insulator with an increase in its thickness (by the example of the metal/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si system)”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1188–1191 |
2
|
|
2017 |
| 3. |
М. И. Векслер, Ю. Ю. Илларионов, И. В. Грехов, “Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл–диэлектрик–кремний при резонансном туннелировании электронов”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 467–471 ; M. I. Vexler, Yu. Yu. Illarionov, I. V. Grekhov, “Quantum-well charge and voltage distribution in a metal–insulator–semiconductor structure upon resonant electron Tunneling”, Semiconductors, 51:4 (2017), 444–448 |
|
2016 |
| 4. |
М. И. Векслер, Г. Г. Карева, Ю. Ю. Илларионов, И. В. Грехов, “Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 62–69 ; M. I. Vexler, G. G. Kareva, Yu. Yu. Illarionov, I. V. Grekhov, “Resonant electron tunneling and related charging phenomena in metal–oxide–$p^+$-Si nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1090–1093 |
1
|
|
Обратная связь: