|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А. Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, “Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022), 608–613  ; V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, V. A. Volodin, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, A. Yu. Krupin, L. V. Kulik, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, A. V. Dvurechenskii, “Synthesis of epitaxial structures with two-dimensional si layers embedded in a CaF$_2$ dielectric matrix”, JETP Letters, 116:9 (2022), 628–633 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
Ю. Б. Болховитянов, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, “Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 284–287  ; Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, L. V. Sokolov, “Forming dislocation pairs in the Ge/GeSi/Si(001) heterostructure”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 145–148 |
|
2018 |
| 3. |
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413 ; M. Yu. Yesin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, “Formation of a stepped Si(100) surface and its effect on the growth of Ge islands”, Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393 |
| 4. |
А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, Е. М. Труханов, К. Б. Фрицлер, “Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления”, Письма в ЖТФ, 44:20 (2018), 30–36 ; A. S. Deryabin, L. V. Sokolov, E. M. Trukhanov, K. B. Fritzler, “The reliability of revealing threading dislocations in epitaxial films by structure-sensitive etching”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 916–918 |
1
|
|
Обратная связь: