|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления
А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, Е. М. Труханов, К. Б. Фрицлер Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
На примере гетероструктур Ge/Si(001) рассмотрено соответствие между пронизывающими дислокациями (ПД) и ямками, выявляемыми методом селективного структурного травления. Для пленок, толщина которых $h\le$ 1 $\mu$m, показано, что недостаточное разрешение оптической микроскопии приводит к значительному занижению плотности ПД. Приведены рекомендации для повышения достоверности оценки плотности ПД методом травления.
Поступила в редакцию: 06.04.2018
Образец цитирования:
А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, Е. М. Труханов, К. Б. Фрицлер, “Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления”, Письма в ЖТФ, 44:20 (2018), 30–36; Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 916–918
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5663 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i20/p30
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 17 |
|