|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, В. В. Федина, А. П. Фазлеев, “Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 249–252   ; E. V. Erofeev, I. V. Fedin, V. V. Fedina, A. P. Fazleev, “Low-temperature Ta/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures on silicon wafers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 237–240 |
|
2018 |
| 2. |
Д. Ю. Протасов, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Е. В. Ерофеев, К. С. Журавлев, “Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 77–84 ; D. Yu. Protasov, D. V. Gulyaev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, E. V. Erofeev, K. S. Zhuravlev, “Increasing saturated electron-drift velocity in donor–acceptor doped phemt heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 260–262 |
6
|
|
2017 |
| 3. |
Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, В. В. Федина, М. В. Степаненко, А. В. Юрьева, “Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1278–1281 ; E. V. Erofeev, I. V. Fedin, V. V. Fedina, M. V. Stepanenko, A. V. Yuryeva, “High-voltage MIS-gated GaN transistors”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1229–1232 |
2
|
| 4. |
Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, И. В. Кутков, Ю. Н. Юрьев, “Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 253–257 ; E. V. Erofeev, I. V. Fedin, I. V. Kutkov, Y. N. Yurjev, “Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment”, Semiconductors, 51:2 (2017), 245–248 |
|
2016 |
| 5. |
Е. В. Ерофеев, А. И. Казимиров, И. В. Федин, В. А. Кагадей, “Формирование низкорезистивного Cu$_{3}$Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1258–1262 ; E. V. Erofeev, A. I. Kazimirov, I. V. Fedin, V. A. Kagadei, “Formation of the low-resistivity compound Cu$_{3}$Ge by low-temperature treatment in an atomic hydrogen flux”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1236–1240 |
1
|
|
Обратная связь: