|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Т. А. Шоболова, А. В. Коротков, Е. В. Петрякова, А. В. Липатников, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1391–1394   ; T. A. Shobolova, A. V. Korotkov, E. V. Petryakova, A. V. Lipatnikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, “Comparison of the radiation resistance of prospective bipolar and heterobipolar transistors”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1353–1356 |
| 2. |
Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, С. Н. Малеев, В. А. Беляков, Е. В. Петрякова, Ю. П. Кудряшова, Е. Л. Фефелова, И. В. Макарцев, С. А. Блохин, Ф. А. Ахмедов, А. В. Егоров, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 29–33 ; N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, S. N. Maleev, V. A. Belyakov, E. V. Petryakova, Yu. P. Kudryashova, E. L. Fefelova, I. V. Makartsev, S. A. Blokhin, F. A. Akhmedov, A. V. Egorov, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “InAlAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistors with a composite channel and higher breakdown characteristics”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1092–1096 |
3
|
|
Обратная связь: