|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
1. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 533–539 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Inhomogeneous injection and heat-transfer processes in reversely switched dynistors operating in the pulse-frequency repetition modes with a limited heat sink”, Semiconductors, 53:4 (2019), 524–529 |
2. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Перераспределение токов и тепловых потерь в реверсивно-включаемом динисторе при наличии поперечного перепада температуры”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 57–60 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Redistribution of current and loss of heat in a reversely switched dynistor in the presence of a transverse temperature gradient”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1241–1244 |
1
|
|
2017 |
3. |
А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 835–843 ; A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Simulation of reversely switched dynistors in modes with a lowered primary-ignition threshold”, Semiconductors, 51:6 (2017), 803–811 |
2
|
|
2016 |
4. |
А. С. Кюрегян, А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 973–978 ; A. S. Kyuregyan, A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov, “Effect of the anode-emitter injection efficiency on the characteristics of hybrid SIT–MOS transistors”, Semiconductors, 50:7 (2016), 957–962 |
2
|
|