|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 973–978
(Mi phts6423)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов
А. С. Кюрегянa, А. В. Горбатюкb, Б. В. Ивановc a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина, Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
C помощью двумерного численного моделирования изучена возможность оптимизации высоковольтных комбинированных СИТ–МОП транзисторов (КСМТ) путем локального уменьшения времени жизни вблизи анодного эмиттера и(или) снижения его инжекционной способности тремя различными способами. Показано, что с физической точки зрения все четыре способа оптимизации эквивалентны и позволяют уменьшить энергию потерь в КСМТ при выключении $E_{\operatorname{off}}$ на 30–40%, как и в биполярных транзисторах с изолированным затвором (БТИЗ). Однако при прочих равных условиях энергия $E_{\operatorname{off}}$ в КСМТ оказалась на 15–35% меньше, чем в эквивалентных БТИЗ траншейной конструкции.
Поступила в редакцию: 10.11.2015 Принята в печать: 25.11.2015
Образец цитирования:
А. С. Кюрегян, А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, “Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 973–978; Semiconductors, 50:7 (2016), 957–962
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6423 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p973
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 3 |
|