Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов

C помощью двумерного численного моделирования изучена возможность оптимизации высоковольтных комбинированных СИТ–МОП транзисторов (КСМТ) путем локального уменьшения времени жизни вблизи анодного эмиттера и(или) снижения его инжекционной способности тремя различными способами. Показано, что с физической точки зрения все четыре способа оптимизации эквивалентны и позволяют уменьшить энергию потерь в КСМТ при выключении $E_{\operatorname{off}}$ на 30–40%, как и в биполярных транзисторах с изолированным затвором (БТИЗ). Однако при прочих равных условиях энергия $E_{\operatorname{off}}$ в КСМТ оказалась на 15–35% меньше, чем в эквивалентных БТИЗ траншейной конструкции.