|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
К. Х. Нусупов, Н. Б. Бейсенханов, Д. И. Бакранова, С. Кейнбай, А. А. Турахун, А. А. Султан, “Синтез тонких пленок TiN, Ti и TiSi$_{2}$ для контактной системы солнечных элементов”, Физика твердого тела, 62:1 (2020), 46–51   ; K. Kh. Nussupov, N. B. Beisenkhanov, D. I. Bakranova, S. Keinbay, A. A. Turakhun, A. A. Sultan, “Synthesis of TiN, Ti and TiSi$_{2}$ thin films for the contact system of solar cells”, Phys. Solid State, 62:1 (2020), 48–53 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
К. Х. Нусупов, Н. Б. Бейсенханов, Д. И. Бакранова, С. Кейнбай, А. А. Турахун, А. А. Султан, “Низкотемпературный синтез нанокристаллов $\alpha$-SiC”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2447–2453 ; K. Kh. Nussupov, N. B. Beisenkhanov, D. I. Bakranova, S. Keinbay, A. A. Turakhun, A. A. Sultan, “Low-temperature synthesis of $\alpha$-SiC nanocrystals”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2473–2479 |
2
|
|
2017 |
| 3. |
С. А. Кукушкин, К. Х. Нусупов, А. В. Осипов, Н. Б. Бейсенханов, Д. И. Бакранова, “Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 59:5 (2017), 986–998 ; S. A. Kukushkin, K. Kh. Nussupov, A. V. Osipov, N. B. Beisenkhanov, D. I. Bakranova, “X-ray reflectometry and simulation of the parameters of SiC epitaxial films on Si(111), grown by the atomic substitution method”, Phys. Solid State, 59:5 (2017), 1014–1026 |
10
|
|
Обратная связь: