Низкотемпературный синтез нанокристаллов $\alpha$-SiC

Толстые пленки SiC$_{x}$ осаждены на поверхность $c$-Si радиочастотным магнетронным распылением (150 W, 13.56 MHz, Ar – 2.4 l/h, 0.4 Pa) мишеней графита и кремния. Методом рентгеновской дифракции показано, что быстрый отжиг пленки SiC$_{x}$, осажденной на поверхности $c$-Si в течение 3 h, наряду с кубической модификацией карбида кремния $\beta$-SiC приводит к низкотемпературному (970$^\circ$C) формированию гексагональных структурных фаз $\alpha$-SiC (6H-SiC и др.). Методом ИК-спектроскопии установлено образование зародышей нанокристаллов SiC при энергетическом воздействии ионов радиочастотной плазмы на верхний слой пленки SiC в процессе ее роста. Данные рентгеновской рефлектометрии указывают на высокую плотность пленок до 3.59 g/cm$^{3}$ вследствие формирования плотных C- и SiC-кластеров в слоях при воздействии радиочастотной плазмы.