|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Физика поверхности, тонкие пленки
Низкотемпературный синтез нанокристаллов $\alpha$-SiC
К. Х. Нусупов, Н. Б. Бейсенханов, Д. И. Бакранова, С. Кейнбай, А. А. Турахун, А. А. Султан Казахстанско-Британский технический университет, Алматы, Казахстан
Аннотация:
Толстые пленки SiC$_{x}$ осаждены на поверхность $c$-Si радиочастотным магнетронным распылением (150 W, 13.56 MHz, Ar – 2.4 l/h, 0.4 Pa) мишеней графита и кремния. Методом рентгеновской дифракции показано, что быстрый отжиг пленки SiC$_{x}$, осажденной на поверхности $c$-Si в течение 3 h, наряду с кубической модификацией карбида кремния $\beta$-SiC приводит к низкотемпературному (970$^\circ$C) формированию гексагональных структурных фаз $\alpha$-SiC (6H-SiC и др.). Методом ИК-спектроскопии установлено образование зародышей нанокристаллов SiC при энергетическом воздействии ионов радиочастотной плазмы на верхний слой пленки SiC в процессе ее роста. Данные рентгеновской рефлектометрии указывают на высокую плотность пленок до 3.59 g/cm$^{3}$ вследствие формирования плотных C- и SiC-кластеров в слоях при воздействии радиочастотной плазмы.
Ключевые слова:
карбид, синтез, низкая температура, нанокристаллы.
Поступила в редакцию: 16.07.2019 Исправленный вариант: 16.07.2019 Принята в печать: 25.07.2019
Образец цитирования:
К. Х. Нусупов, Н. Б. Бейсенханов, Д. И. Бакранова, С. Кейнбай, А. А. Турахун, А. А. Султан, “Низкотемпературный синтез нанокристаллов $\alpha$-SiC”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2447–2453; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2473–2479
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8592 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i12/p2447
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 18 |
|