|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. В. Романов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 103–111   ; N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. V. Romanov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Magnetic properties of thin epitaxial SiC layers grown by the atom-substitution method on single-crystal silicon surfaces”, Semiconductors, 55:2 (2021), 137–145 |
13
|
|
2020 |
| 2. |
В. В. Романов, В. А. Кожевников, В. А. Машков, Н. Т. Баграев, “Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица–Косевича с переменной эффективной массой носителей”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1331–1335 ; V. V. Romanov, V. A. Kozhevnikov, V. A. Mashkov, N. T. Bagraev, “Description of the magnetization oscillations of a silicon nanostructure in weak fields at room temperature. the Lifshitz–Kosevich formula with variable effective carrier mass”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1593–1597 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
В. В. Романов, В. А. Кожевников, Н. Т. Баграев, “Термодинамическое описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Плотность состояний”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1651–1654 ; V. V. Romanov, V. A. Kozhevnikov, N. T. Bagraev, “Thermodynamic description of oscillations of the magnetization of a silicon nanostructure in weak fields at room temperature. Density of states”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1633–1636 |
1
|
| 4. |
В. В. Романов, В. А. Кожевников, C. T. Tracey, Н. Т. Баграев, “Осцилляции де Гааза–ван Альфена в кремниевой наноструктуре в слабых магнитных полях при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1647–1650 ; V. V. Romanov, V. A. Kozhevnikov, C. T. Tracey, N. T. Bagraev, “De Haas–van Alphen oscillations of the silicon nanostructure in weak magnetic fields at room temperature. Density of states”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1629–1632 |
7
|
|
2018 |
| 5. |
N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, V. S. Khromov, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, T. V. Matveev, V. V. Romanov, N. I. Rul, K. B. Taranets, “High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 473 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 478–484 |
2
|
|
2017 |
| 6. |
Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Еуров, Д. А. Курдюков, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, В. Ю. Григорьев, В. В. Романов, D. R. Yakovlev, В. Г. Голубев, “Синтез кластеров оксидов железа в мезопорах монодисперсных сферических частиц кремнезема”, Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1598–1603 ; E. Yu. Stovpyaga, D. A. Eurov, D. A. Kurdyukov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, V. Yu. Grigoryev, V. V. Romanov, D. R. Yakovlev, V. G. Golubev, “The synthesis of clusters of iron oxides in mesopores of monodisperse spherical silica particles”, Phys. Solid State, 59:8 (2017), 1623–1628 |
11
|
|
2016 |
| 7. |
Д. А. Курдюков, А. Б. Певцов, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, В. Ю. Григорьев, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, В. Г. Голубев, “Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co$_{3}$O$_{4}$ и NiCo$_{2}$O$_{4}$ матричным методом”, Физика твердого тела, 58:6 (2016), 1176–1181 ; D. A. Kurdyukov, A. B. Pevtsov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, V. Yu. Grigoryev, V. V. Romanov, N. T. Bagraev, V. G. Golubev, “Formation of three-dimensional arrays of magnetic clusters NiO, Co$_{3}$O$_{4}$, and NiCo$_{2}$O$_{4}$ by the matrix method”, Phys. Solid State, 58:6 (2016), 1216–1221 |
7
|
| 8. |
N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov, “Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1047–1054 ; Semiconductors, 50:8 (2016), 1025–1033 |
20
|
|
Обратная связь: