|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. Ф. Банная, Е. В. Никитина, “Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 221–223   ; V. F. Bannaya, E. V. Nikitina, “Heating of electrons in pure Ge in a quantum magnetic field upon the thermal excitation of charge carriers”, Semiconductors, 54:3 (2020), 275–277 |
|
2019 |
| 2. |
С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 190–198 ; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 |
4
|
| 3. |
В. Ф. Банная, Е. В. Никитина, “Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 13–17 ; V. F. Bannaya, E. V. Nikitina, “Influence of a quantum magnetic field on the heating of charge carriers in pure germanium”, Semiconductors, 53:1 (2019), 9–13 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
В. Ф. Банная, Е. В. Никитина, “Электрический пробой в чистом $n$- и $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 291–294 ; V. F. Bannaya, E. V. Nikitina, “Electrical breakdown in pure $n$- and $p$-Si”, Semiconductors, 52:3 (2018), 273–277 |
|
Обратная связь: