|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge
В. Ф. Баннаяa, Е. В. Никитинаb a Московский государственный педагогический университет, Москва
b Российский университет дружбы народов, г. Москва
Аннотация:
Подробно рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем ($\mathbf E$) в чистом германии $n$- и $p$-типов, в квантующем магнитном поле ($\mathbf H$) при $\mathbf E\perp\mathbf H$, в условиях фотовозбуждения носителей. Полученные результаты качественно согласуются с теорией захвата носителей заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях.
Поступила в редакцию: 14.06.2018 Исправленный вариант: 21.02.2018
Образец цитирования:
В. Ф. Банная, Е. В. Никитина, “Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 13–17; Semiconductors, 53:1 (2019), 9–13
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5604 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p13
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 11 |
|