Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 13–17
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46980.8837
(Mi phts5604)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge

В. Ф. Баннаяa, Е. В. Никитинаb

a Московский государственный педагогический университет, Москва
b Российский университет дружбы народов, г. Москва
Аннотация: Подробно рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем ($\mathbf E$) в чистом германии $n$- и $p$-типов, в квантующем магнитном поле ($\mathbf H$) при $\mathbf E\perp\mathbf H$, в условиях фотовозбуждения носителей. Полученные результаты качественно согласуются с теорией захвата носителей заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях.
Поступила в редакцию: 14.06.2018
Исправленный вариант: 21.02.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 9–13
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619010020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Банная, Е. В. Никитина, “Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 13–17; Semiconductors, 53:1 (2019), 9–13
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BanNik19}
\by В.~Ф.~Банная, Е.~В.~Никитина
\paper Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 13--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5604}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46980.8837}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476598}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 9--13
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619010020}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5604
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p13
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024