|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 189–194   ; O. V. Aleksandrov, S. A. Mokrushina, “Model of the effect of the gate bias on MOS structures under ionizing radiation”, Semiconductors, 54:2 (2020), 240–245 |
1
|
|
2018 |
| 2. |
О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель накопления зарядов в $n$- и $p$-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 637–642 ; O. V. Aleksandrov, S. A. Mokrushina, “Model for charge accumulation in $n$- and $p$-MOS transistors during tunneling electron injection from a gate”, Semiconductors, 52:6 (2018), 783–788 |
3
|
|
Обратная связь: