|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика полупроводниковых приборов
Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур
О. В. Александров, С. А. Мокрушина Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Разработана новая количественная модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении на пороговое напряжение МОП-структур, базирующаяся на учете захвата дырок со всего объема подзатворного диэлектрика в тонком пограничном слое с безводородными и водородосодержащими ловушками на границе с кремниевой подложкой. Модель позволяет удовлетворительно описать плавный рост порогового напряжения с напряжением смещения на затворе – примерно линейный от дозы для поверхностной составляющей и нелинейный для объемной составляющей. Сдвиг порогового напряжения при отрицательном напряжении на затворе моделируется на основе учета генерации дырок в пограничном слое под действием ионизирующего облучения.
Ключевые слова:
ионизирующее облучение, МОП-структура, оксидные ловушки, поверхностные состояния, моделирование.
Поступила в редакцию: 25.06.2019 Исправленный вариант: 10.09.2019 Принята в печать: 30.09.2019
Образец цитирования:
О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 189–194; Semiconductors, 54:2 (2020), 240–245
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5285 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p189
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 10 |
|