Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 189–194
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48902.9195 (Mi phts5285) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур

О. В. Александров, С. А. Мокрушина

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (366 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48902.9195
Аннотация: Разработана новая количественная модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении на пороговое напряжение МОП-структур, базирующаяся на учете захвата дырок со всего объема подзатворного диэлектрика в тонком пограничном слое с безводородными и водородосодержащими ловушками на границе с кремниевой подложкой. Модель позволяет удовлетворительно описать плавный рост порогового напряжения с напряжением смещения на затворе – примерно линейный от дозы для поверхностной составляющей и нелинейный для объемной составляющей. Сдвиг порогового напряжения при отрицательном напряжении на затворе моделируется на основе учета генерации дырок в пограничном слое под действием ионизирующего облучения.
Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-структура, оксидные ловушки, поверхностные состояния, моделирование.
Поступила в редакцию: 25.06.2019
Исправленный вариант: 10.09.2019
Принята в печать: 30.09.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 240–245
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020025
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Александров, С. А. Мокрушина, “Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 189–194; Semiconductors, 54:2 (2020), 240–245
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleMok20}
\by О.~В.~Александров, С.~А.~Мокрушина
\paper Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 189--194
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5285}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48902.9195}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571097}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 240--245
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020025}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5285
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p189
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024