|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Е. Абдикаримов, “Влияние единичного граничного ловушечного заряда на подпороговый ток стока FinFET-транзистора с различной формой канала”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 34–37   ; A. E. Abdikarimov, “The influence of a single charged interface trap on the subthreshold drain current in FinFETs with different fin shapes”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 494–496 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
А. Е. Абдикаримов, A. Юсупов, А. Э. Атамуратов, “Влияние формы плавника и толщины скрытого оксидного слоя на DIBL-эффект в FinFET-транзисторе, изготовленном по технологии “кремний на изоляторе””, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 22–29 ; A. E. Abdikarimov, A. Yusupov, A. E. Atamuratov, “The effect of the fin shape and thickness of the buried oxide on the DIBL effect in an SOI FinFET”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 962–964 |
4
|
|
Обратная связь: