Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 10, страницы 34–37
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.10.49430.18060 (Mi pjtf5104) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Влияние единичного граничного ловушечного заряда на подпороговый ток стока FinFET-транзистора с различной формой канала

А. Е. Абдикаримов

Ургенчский государственный университет, Ургенч, Узбекистан
PDF полного текста (98 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.10.49430.18060
Аннотация: Моделируется влияние формы канала вертикального полевого транзистора с изолированным затвором на амплитуду случайного телеграфного шума, индуцированного единичным зарядом, встроенным на граничных ловушках. Рассматриваются транзисторы с прямоугольным и трапециевидным поперечным сечением канала. Показано, что при встраивании единичного граничного заряда в потолке канала в подпороговой области напряжений на затворе амплитуда шума для транзистора с трапециевидным поперечным сечением меньше, чем для транзистора с прямоугольным сечением. Однако при встраивании единичного заряда в середине боковой поверхности канала амплитуда случайного телеграфного шума существенно больше для трапециевидного сечения.
Ключевые слова: случайный телеграфный шум, FinFET-транзистор, граничный ловушечный заряд, плотность тока стока.
Поступила в редакцию: 03.10.2019
Исправленный вариант: 02.03.2020
Принята в печать: 02.03.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 5, Pages 494–496
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378502005017X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Абдикаримов, “Влияние единичного граничного ловушечного заряда на подпороговый ток стока FinFET-транзистора с различной формой канала”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 34–37; Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 494–496
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Abd20}
\by А.~Е.~Абдикаримов
\paper Влияние единичного граничного ловушечного заряда на подпороговый ток стока FinFET-транзистора с различной формой канала
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 10
\pages 34--37
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5104}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.10.49430.18060}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800703}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 5
\pages 494--496
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378502005017X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5104
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i10/p34
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024