|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. В. Козловский, O. Корольков, К. С. Давыдовская, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А. М. Стрельчук, J. Toompuu, “Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 35–37   ; V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 |
6
|
|
Обратная связь: