|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
Р. А. Салий, М. А. Минтаиров, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 28–31 |
2. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 51–54 |
|
2020 |
3. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 46:12 (2020), 30–33 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “The influence of the number of rows of GaInAs quantum objects on the saturation current of GaAs photoconverters”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 599–602 |
2
|
4. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере”, Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 29–31 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Finding the energy gap of Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$ junctions on a metamorphic buffer from the photocurrent spectrum”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 332–334 |
1
|
|
2019 |
5. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1568–1572 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Counteracting the photovoltaic effect in the top intergenerator part of GaInP/GaAs/Ge solar cells”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1535–1539 |
2
|
6. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 37–39 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Anomalies in photovoltaic characteristics of multijunction solar cells at ultrahigh solar light concentrations”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1100–1102 |
3
|
|
2018 |
7. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1126–1130 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Recombination in GaAs $p$-$i$-$n$ structures with InGaAs quantum-confined objects: modeling and regularities”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1244–1248 |
6
|
|
2016 |
8. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 987–992 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model”, Semiconductors, 50:7 (2016), 970–975 |
4
|
|