Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов

Проанализирован “верхний” межгенераторный участок, расположенный между GaInP и GaAs субэлементами (генераторами электрической энергии). Проанализированы форма световых вольт-амперных характеристик и зависимость V$_{oc}$–$J_{sc}$ (напряжение холостого хода–ток короткого замыкания). Установлено, что туннельный гетеро-$p^{+}$–$n^{+}$-переход, расположенный в “верхней” межгенераторной части, может работать в качестве фотоэлектрического источника, противодействующего базовым $p$–$n$-переходам. В этом случае $V_{oc}$–$J_{sc}$-характеристика имеет падающий участок, в том числе может наблюдаться резкий скачок. Этот нежелательный эффект уменьшается при увеличении пикового тока туннельного перехода.