|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, “Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 34–37   ; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, “Admittance of MIS structures based on $nBn$ systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 629–632 |
1
|
| 2. |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, Д. В. Марин, “Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 33–35 ; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, “The effect of As$^+$ ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te films”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 189–192 |
|
2003 |
| 3. |
А. В. Войцеховский, В. П. Танана, “О решении обратной задачи нестационарной фильтрации”, Вестник ЧелГУ, 2003, № 9, 5–15 |
|
1988 |
| 4. |
А. В. Войцеховский, Е. М. Кирюшкин, Ю. В. Лиленко, А. С. Петров, Е. В. Черников, Н. В. Кузнецов, К. Р. Курбанов, А. П. Мамонтов, “Ускоренная диффузия индия в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te под воздействием
облучения ионами при
${T=300}$ K”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2226–2228 |
|
1986 |
| 5. |
А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, Ю. В. Лиленко, А. Д. Погребняк, Ш. М. Рузимов, Р. Д. Бабаджанов, “Аннигиляция позитронов в облученных электронами кристаллах HgTe
и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x=0.2}$)”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 815–817 |
|
1985 |
| 6. |
Т. Е. Корсак, Н. П. Сысоева, Б. М. Аюпов, В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, Е. Ф. Титова, “Оптические постоянные Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при ${\lambda=632.8}$ нм”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 355–356 |
|
1984 |
| 7. |
В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, Е. П. Казак, А. П. Коханенко, “Особенности дефектообразования в приповерхностной области
HgCdTe при электронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2082–2085 |
| 8. |
В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, “Квантовые осцилляции фотоэдс в электрическом поле
в $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x\simeq0.20}$) с поверхностным
инверсионным каналом”, Письма в ЖТФ, 10:12 (1984), 742–746  |
|
1983 |
| 9. |
А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Ф. Коверчик, Ю. В. Лиленко, А. С. Петров, “Особенности поведения кристаллов Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, облученных
электронами, при различных температурных обработках”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1876–1879 |
|
Обратная связь: