Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 12, страницы 34–37
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.12.51065.18760 (Mi pjtf4761) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m

А. В. Войцеховскийa, С. Н. Несмеловa, С. М. Дзядухa, С. А. Дворецкийab, Н. Н. Михайловab, Г. Ю. Сидоровab, М. В. Якушевb

a Национальный исследовательский Томский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (320 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.12.51065.18760
Аннотация: Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе $nBn$-систем из Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав $x$ в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барьерном слое – 0.60. Предложена эквивалентная схема МДП-структуры на основе $nBn$-системы и найдены номиналы элементов этой схемы в различных условиях. Сравнение температурной зависимости сопротивления барьера с моделью Rule07 свидетельствует о возможности создания эффективных $nBn$-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для спектрального диапазона 3–5 $\mu$m.
Ключевые слова: $nBn$-система, МДП-структура, HgCdTe, адмиттанс, метод эквивалентных схем.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-12-00135
Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект № 19-12-00135).
Поступила в редакцию: 10.03.2021
Исправленный вариант: 25.03.2021
Принята в печать: 25.03.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 9, Pages 629–632
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021060286
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, “Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 34–37; Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 629–632
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VoiNesDzy21}
\by А.~В.~Войцеховский, С.~Н.~Несмелов, С.~М.~Дзядух, С.~А.~Дворецкий, Н.~Н.~Михайлов, Г.~Ю.~Сидоров, М.~В.~Якушев
\paper Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3--5 $\mu$m
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 12
\pages 34--37
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4761}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.12.51065.18760}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46321835}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 9
\pages 629--632
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021060286}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4761
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i12/p34
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:73
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024