|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m
А. В. Войцеховскийa, С. Н. Несмеловa, С. М. Дзядухa, С. А. Дворецкийab, Н. Н. Михайловab, Г. Ю. Сидоровab, М. В. Якушевb a Национальный исследовательский Томский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе $nBn$-систем из Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав $x$ в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барьерном слое – 0.60. Предложена эквивалентная схема МДП-структуры на основе $nBn$-системы и найдены номиналы элементов этой схемы в различных условиях. Сравнение температурной зависимости сопротивления барьера с моделью Rule07 свидетельствует о возможности создания эффективных $nBn$-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, для спектрального диапазона 3–5 $\mu$m.
Ключевые слова:
$nBn$-система, МДП-структура, HgCdTe, адмиттанс, метод эквивалентных схем.
Поступила в редакцию: 10.03.2021 Исправленный вариант: 25.03.2021 Принята в печать: 25.03.2021
Образец цитирования:
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, “Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 34–37; Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 629–632
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4761 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i12/p34
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 21 |
|