|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Sergey V. Bulyarskii, Liubov N. Vostretsova, Valeriya A. Ribenek, “Tunneling recombination in GaN/InGaN LEDs with a single quantum well”, Наносистемы: физика, химия, математика, 15:2 (2024), 204–214  |
|
2022 |
| 2. |
Л. Н. Вострецова, М. Ю. Махмуд-Ахунов, А. А. Чулакова, “Деградация структур на основе InGaN/GaN под действием $\gamma$-облучения”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2022, № 3, 72–84 |
|
2021 |
| 3. |
Д. Я. Вострецов, Л. Н. Вострецова, Т. С. Смирнова, Д. П. Дмитриев, “Влияние подсветки на вольт-амперные характеристики структур на основе InGaN/GaN при обратном смещении”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 21:4 (2021), 372–380 |
|
2020 |
| 4. |
Л. Н. Вострецова, А. А. Адамович, “Влияние $\gamma$-облучения на электрические и оптические характеристики светодиодов на основе InGаN/GаN”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2020, № 4, 69–79 |
1
|
|
2019 |
| 5. |
Л. Н. Вострецова, А. С. Амброзевич, Т. Э. Кузнецова, “Вольт-амперные характеристики структур на основе InGaN/GaN при высоком уровне инжекции”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2019, № 2, 75–86 |
3
|
|
2016 |
| 6. |
С. В. Булярский, Л. Н. Вострецова, С. А. Гаврилов, “Фотоприемники на основе CuInS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 106–111  ; S. V. Bulyarskii, L. N. Vostretsova, S. A. Gavrilov, “Photodetectors based on CuInS$_2$”, Semiconductors, 50:1 (2016), 106–111 |
7
|
|
2012 |
| 7. |
С. В. Булярский, Л. Н. Вострецова, М. С. Ермаков, “Определение энергетических параметров электронных состояний в полупроводниковых углеродных нанотрубках”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, № 4, 205–213 |
|
|
|
2009 |
| 8. |
С. В. Булярский, Л. Н. Вострецова, “Моделирование процессов переноса тока в углеродных нанотрубках”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 3, 138–144 |
|
Обратная связь: