|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Ф. Ф. Комаров, С. Б. Ластовский, И. А. Романов, И. Н. Пархоменко, Л. А. Власукова, Г. Д. Ивлев, Y. Berencen, А. А. Цивако, Н. С. Ковальчук, E. Wendler, “Слои кремния, гиперпересыщенные теллуром, для фотодиодов видимого и инфракрасного диапазонов”, ЖТФ, 91:12 (2021), 2026–2037   |
|
2016 |
| 2. |
С. Б. Ластовский, В. П. Маркевич, А. С. Якушевич, Л. И. Мурин, В. П. Крылов, “Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых $n^{+}$–$p$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 767–771 ; S. B. Lastovsky, V. P. Markevich, A. S. Yakushevich, L. I. Murin, V. P. Krylov, “Radiation-induced bistable centers with deep levels in silicon $n^{+}$–$p$ structures”, Semiconductors, 50:6 (2016), 751–755 |
11
|
|
Обратная связь: