Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Р. М. Ёркулов, Р. Х. Ашуров, В. М. Ротштейн, “Состав и морфология поверхности Si(111) с поверхностной пленкой SiO$_{2}$ разной толщины”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1045–1048
2.
З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, С. С. Насриддинов, З. Э. Мухтаров, Р. М. Ёркулов, “Изучение критического угла каналирования ионов активных металлов через тонкие пленки алюминия”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021), 12–14
3.
Б. Е. Умирзаков, З. А. Исаханов, Г. Х. Аллаёрова, Р. М. Ёркулов, “Влияние поэтапного постимплантационного отжига на состав и структуру поверхностных слоев кремния, имплантированного ионами щелочных металлов”, Письма в ЖТФ, 47:1 (2021), 15–19; B. E. Umirzakov, Z. A. Isakhanov, G. Kh. Allayarova, R. M. Yorkulov, “The effect of stepwise postimplantation annealing on the composition and structure of silicon surface layers implanted with alkali metal ions”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 11–15
2020
4.
З. А. Исаханов, И. О. Косимов, Б. Е. Умирзаков, Р. М. Ёркулов, “Модификация свойств поверхности свободных пленок Si–Cu имплантацией ионов активных металлов”, ЖТФ, 90:1 (2020), 123–127; Z. A. Isakhanov, I. O. Kosimov, B. E. Umirzakov, R. M. Yorkulov, “Modification of the surface properties of free Si–Cu films by implantation of active metal ions”, Tech. Phys., 65:1 (2020), 114–117
Б. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, З. А. Исаханов, Р. М. Ёркулов, “Формирование наноразмерных пленок SiO$_{2}$ на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu при имплантации ионов O$_{2}^{+}$”, ЖТФ, 89:6 (2019), 935–937; B. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, Z. A. Isakhanov, R. M. Yorkulov, “Formation of nanodimensional SiO$_{2}$ films on the surface of a free si/cu film system by O$_{2}^{+}$ ion implantation”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 881–883
Обратная связь: